MRAM chính là một loại linh kiện spintronics thế hệ thứ 2. MRAM cho phép rút ngắn thời gian đọc/ghi so với bộ nhớ RAM bán dẫn truyền thống, tăng mật độ cao hơn nhờ việc giảm kích thước ô nhớ. Vì sử dụng đảo từ, MRAM cho phép giảm các nhiễu điện từ trường và năng lượng hao phí. Đồng thời, vì lưu trữ bằng các mômen từ nên MRAM là loại bộ nhớ không tự xóa, thông tin còn lưu trữ (hầu như vĩnh cửu) sau khi nguồn điện bị ngắt. Vấn đề lớn hiện nay của MRAM là yêu cầu giảm mật độ dòng điều khiển (bài toán năng lượng) và công nghệ chế tạo các ô nhớ nhỏ với giá thành thấp. Một hạn chế của MRAM là khả năng tăng cao mật độ, do giới hạn độ ổn định nhiệt khi giảm kích thước ô nhớ (trạng thái sắt từ bị phá vỡ khi kích thước giảm tới giới hạn siêu thuận từ). Một trong những hướng phát triển hiện nay của MRAM là STT-MRAM với các vật liệu có mômen từ định hướng vuông góc với mặt phẳng màng (nhằm giảm thiểu dòng điều khiển) và thay thế các vật liệu truyền thống bằng các vật liệu bán kim với độ phân cực spin cao.